近年來，隨著有關(guān)方面不斷加大封鎖力度，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸意識到在技術(shù)水平上與國外之間的巨大差距。
盡管我國已經(jīng)在盡全力追趕海外，并且試圖從材料、光源等方面彎道超車，但在明顯差距面前，國產(chǎn)還是慢人一步。
7月27日多方媒體消息，意法半導(dǎo)體中國的官方微信宣布：意法半導(dǎo)體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸（200mm）碳化硅晶圓片。
眾所周知，現(xiàn)階段傳統(tǒng)硅基晶圓是市場主流，但隨著工藝制程的不斷微縮，摩爾定律即將面臨物理極限，各大企業(yè)以及科研團隊開始從材料方面下功夫。
碳基晶圓被業(yè)界認(rèn)為是下一代主流芯片原料，而碳化硅則屬于第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。
作為一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，碳化硅的優(yōu)點非常明顯。
根據(jù)資料顯示，碳化硅具備禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、大功率以及抗輻射等特制。而且在開關(guān)速度以及效率方面也有著明顯優(yōu)勢，能夠起到大幅度降低產(chǎn)品功耗、減小產(chǎn)品體積的作用。
得益于此，碳化硅半導(dǎo)體器件可以被廣泛應(yīng)用于高壓輸變電、軌道交通、通訊基站等重要領(lǐng)域。
不過，這類材料并非完美無缺，碳化硅有諸多優(yōu)點，也有著明顯的缺陷。
據(jù)筆者了解，碳化硅不同于傳統(tǒng)硅材料，其生長效率非常低，而且生長出來的體積相對較小。
在一般情況下，碳化硅材料只能制備出100mm或150mm的晶圓。
此外，碳化硅的硬度非常高，即便與金剛石相比，這類材料的莫氏硬度也只低0.5左右。正所謂剛過易折，硬度如此高的碳化硅非常脆，導(dǎo)致制備損耗非常高，良率很低。
在2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場總監(jiān)程文濤曾表示：“碳化硅材料的加工門檻非常高，因此目前這個行業(yè)主要的碳化硅廠商，都是一些IDM廠商。”
例如Cree和美國的II-VI公司，這兩大巨頭占據(jù)了全球75%以上的市場。故而，意法半導(dǎo)體成功制造出首批200mm碳化硅晶圓片的消息，令整個業(yè)界都為之震驚。
由此可見，歐美國家的企業(yè)已經(jīng)進入下一階段，在海外愈發(fā)密不透風(fēng)的封鎖下，我國需要付出更大的努力才能夠追上并超越。
