9月28日，中國(guó)半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)軍者——無(wú)錫新潔能股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱“新潔能”、股票代碼“605111”）在上交所主板正式掛牌上市，本次A股發(fā)行價(jià)為19.91元/股，發(fā)行數(shù)量為2530萬(wàn)股，保薦機(jī)構(gòu)（主承銷商）為平安證券股份有限公司。
連續(xù)4年榮膺“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”
新潔能成立于2013年1月，專業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設(shè)計(jì)方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測(cè)試企業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封裝測(cè)試而成。公司已初步完成部分先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)線的建設(shè)，將部分芯片自主封裝成品后對(duì)外銷售。公司產(chǎn)品系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。自2016年以來(lái)，公司連續(xù)4年名列中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”，為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)之一。
新潔能基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)率先掌握 超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一， 是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一，為國(guó)內(nèi) MOSFET 等功率器件 市場(chǎng)占有率排名前列的本土企業(yè)。憑借先進(jìn)的技術(shù)、豐富的產(chǎn)品種類、卓越的品質(zhì)和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)水平，取得了客戶的廣泛好評(píng)和較好的市場(chǎng)口碑。
根據(jù)招股說(shuō)明書，新潔能將進(jìn)一步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢(shì)，結(jié)合大尺寸晶圓（8 英寸、12 英寸）先進(jìn)工藝技術(shù)，開拓國(guó)際先 進(jìn)功率器件封裝制造技術(shù)，全力推進(jìn)高端功率 MOSFET、IGBT 的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化， 持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，并投入對(duì) SiC/GaN 寬禁帶半導(dǎo)體、 智能功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升其核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)地位。
新潔能產(chǎn)品器件結(jié)構(gòu)不同、功能有所差異，主要分類包括溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT）以及功率模塊等多品類產(chǎn)品系列。
新潔能的產(chǎn)品用途廣泛，主要運(yùn)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能 源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等新興領(lǐng)域。 產(chǎn)品下游運(yùn)用行業(yè)情況如下圖所示：
