6月28日，在上海舉行的2020中國IC領(lǐng)袖峰會暨中國IC設(shè)計成就獎頒獎典禮傳來喜訊，基本半導(dǎo)體車規(guī)級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設(shè)計成就獎之功率器件獎項!
中國IC設(shè)計成就獎是中國電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎項評選活動之一，由Aspencore旗下《電子工程專輯》、《電子技術(shù)設(shè)計》和《國際電子商情》聯(lián)合主辦，通過對中國的IC設(shè)計公司進行年度產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀調(diào)查，評選和表彰優(yōu)秀的IC設(shè)計公司、半導(dǎo)體前端制造、EDA工具和IP服務(wù)公司。最終結(jié)果由電子工程師、資深分析師和半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士投票評選產(chǎn)生，獎項和獲獎?wù)叽碇袠I(yè)的最高水準。基本半導(dǎo)體此次榮登榜單，代表公司研發(fā)實力和技術(shù)創(chuàng)新能力再次得到業(yè)界的肯定和認可。
基本半導(dǎo)體自成立以來，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，自主研發(fā)高性能、高可靠性的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。此次獲獎的車規(guī)級全碳化硅功率模塊BMB200120P1針對新能源汽車主逆變器設(shè)計，采用業(yè)內(nèi)主流的單面水冷散熱形式，為高效電機控制器設(shè)計提供便利。基于基本半導(dǎo)體最新的碳化硅MOSFET設(shè)計生產(chǎn)工藝，BMB200120P1在柵極電輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項主要參數(shù)上達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。
在中美科技冷戰(zhàn)和全球新冠疫情的大變局下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展面臨極大的挑戰(zhàn)和難得的機遇。作為快速成長的中國半導(dǎo)體企業(yè)，基本半導(dǎo)體將繼續(xù)加大對碳化硅功率器件的自主研發(fā)投入，不斷深化技術(shù)、產(chǎn)品和管理的創(chuàng)新模式，積極推進第三代半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代進程。
