金融界網(wǎng)站訊，氮化鎵板塊快速拉升，士蘭微、華燦光電、星徽精密等概念股漲停。
氮化鎵好在哪？
隨著手機(jī)屏幕的增大和處理器性能的增加，對(duì)手機(jī)本身的電量?jī)?chǔ)備和充電時(shí)間也提出了高要求。如何“又快又好”成為了手機(jī)續(xù)航的重要問(wèn)題。
我們看到，無(wú)論是iQOO的120W快充方案，還是OPPO125W快充方案，都應(yīng)用到了電荷泵技術(shù)，它的原理是通過(guò)電容對(duì)電荷的積累效應(yīng)而產(chǎn)生高壓，使電流由低電勢(shì)流向高電勢(shì)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是在充電的時(shí)候使用“高電壓、大電流”的方式，來(lái)提高充電功率。
這時(shí)候，充電器的功率也隨之增大，尤其是對(duì)于大功率的快充充電器，使用傳統(tǒng)的FET功率開(kāi)關(guān)無(wú)法改變充電器的現(xiàn)狀。但相比硅材料，氮化鎵（GaN）是一種極穩(wěn)定的化合物，它的堅(jiān)硬性好，熔點(diǎn)高，電離度高，并且可以在高速開(kāi)關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)品尺寸。
相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢(shì)？
1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過(guò)GaN制成的芯片，從而可以更快地進(jìn)行處理，充電更快。
2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠?qū)⑦^(guò)度充電的可能性最小化。
3、體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來(lái)的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時(shí)由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動(dòng)件比硅基方案少得多，也進(jìn)一步縮小了體積。
