7月19日，據(jù)蓋世汽車報道，半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）宣布推出集成650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。新產(chǎn)品適用于處理大功率的汽車和工業(yè)應(yīng)用，例如光伏電源調(diào)節(jié)器、車載充電器以及電動和電氣化汽車（xEV）中使用的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
報道中還稱，RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了羅姆的低損耗SiC肖特基勢壘二極管，幾乎沒有恢復(fù)能量，因此可將二極管開關(guān)損耗降至最小。此外，由于在開啟模式下恢復(fù)電流不必由IGBT處理，因此顯著降低了IGBT的開啟損耗。當(dāng)將該產(chǎn)品用于車載充電器時，在這兩種效應(yīng)的共同作用下，其損耗與傳統(tǒng)IGBT相比降低67%，與超級結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，從而進(jìn)一步提高性價比，并降低工業(yè)和汽車應(yīng)用中的功耗。
據(jù)了解，前段時間羅姆（ROHM）舉辦了在線發(fā)布會，細(xì)致介紹了放大器和比較器的作用以及羅姆在這上面的布局。此外，羅姆還推出一款抗EMI性能非常出色的運算放大器“BD8758xYx-C”系列，新產(chǎn)品具備“EMARMOURTM系列”中超高的抗干擾性能，有助于減少異常檢測系統(tǒng)的設(shè)計工時并提高系統(tǒng)可靠性。
羅姆上海技術(shù)中心的FAE朱莎勤提到，影響運算放大器精度的參數(shù)包括輸入偏置電流，輸入失調(diào)電壓，以及等效輸入噪聲電壓，這些都是運算放大器自身的參數(shù)。通過優(yōu)化這些參數(shù)，使傳感器系統(tǒng)的精度得以提高。
該產(chǎn)品已經(jīng)于2021年5月份量產(chǎn)，同時該系列中還有4通道產(chǎn)品尚在開發(fā)中。羅姆稱，未來將會繼續(xù)擴(kuò)大新產(chǎn)品陣容，并且還會將高抗干擾技術(shù)應(yīng)用到電源IC等產(chǎn)品中，為進(jìn)一步減少各種應(yīng)用的設(shè)計工時和提高應(yīng)用的可靠性貢獻(xiàn)力量。
