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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦

  中國上海,2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。

  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦


  TLP5231產(chǎn)品示意圖

  新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。

  目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助于降低功耗。

  通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統(tǒng)的功率需求,從而簡化設(shè)計。

  其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時間”;另外,除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設(shè)計柵極驅(qū)動電路。

  應(yīng)用:

  IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(預(yù)驅(qū)動)

  交流電機和直流無刷電機控制

  工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)

  光伏(PV)電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)

  特性:

  內(nèi)置有源時序控制的雙輸出,適用于驅(qū)動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。

  當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時間。

  當監(jiān)控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側(cè)。

  主要規(guī)格:

  (除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦


  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦


  注釋:

  [1] 柵極信號軟關(guān)斷、故障反饋功能

  [2] TLP5214、TLP5214A

  [3] UVLO:欠壓鎖定

  [4] 常見VE

  如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請訪問:

  TLP5231

  關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社,主要從事電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè)。其中電子元器件事業(yè)包含占市場大份額的分立器件、以及業(yè)界先進的系統(tǒng)LSI。在分立半導(dǎo)體領(lǐng)域,集中力量在控制設(shè)備功耗的功率器件等產(chǎn)品。在系統(tǒng)LSI領(lǐng)域,通過用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、通信和電源應(yīng)用領(lǐng)域的LSI產(chǎn)品,推動全球電子設(shè)備的發(fā)展。存儲產(chǎn)品事業(yè)主要在機械硬盤(HDD)領(lǐng)域,著重開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級大容量存儲產(chǎn)品。東芝通過加強電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè),為支持和推動智能社區(qū)和智能生活的建設(shè)提供廣泛的半導(dǎo)體解決方案及應(yīng)用。


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