2023年3月2-3日，以“精準?可靠”為主題的“2023新型功率器件參數(shù)檢測、可靠性及失效分析研討會”在古城西安隆重舉行。來自功率器件封測設(shè)備與材料、功率半導體應用企業(yè)的130余人齊聚西安廣成大酒店，一起探討IGBT、碳化硅與氮化鎵器件的電學與熱學性能測試方案、符合車規(guī)級要求的先進封裝形式的可靠性測試方法，以及多種芯片與封裝材料的失效分析方式。
本次研討會由中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、中國功率器件封測設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室聯(lián)合主辦；總冠名是陜西開爾文測控技術(shù)有限公司；金牌贊助商是芯派科技股份有限公司和歐紛泰化工（上海）有限公司；
近年來，功率半導體技術(shù)快速發(fā)展，作為應用于嚴苛環(huán)境的新型高功率密度器件對可靠性提出了更高的要求。因此，精準的性能測試要求、符合使用場景的可靠性測試條件，以及準確的失效分析已經(jīng)提上日程。
研討會上，行業(yè)專家分享了功率半導體器件應用過程中需要解決的一些難題，特別是嚴苛環(huán)境下高功率密度器件的精準性能測試要求、符合使用場景的可靠性測試條件和準確的失效分析方法，以進一步提升功率半導體器件的性能及可靠性表現(xiàn)。
中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)總經(jīng)理郝海洋表示：“大家在研討會上深入了解了功率電力電子器件封裝的各種挑戰(zhàn)，便于從新的測試方法和失效分析技術(shù)入手，結(jié)合先進的設(shè)備，解決功率半導體器件的可靠性與應用分析難題?！?br style="box-sizing: border-box;"/>
本次研討會內(nèi)容包括：基于國產(chǎn)芯片的雙面散熱1700V碳化硅模組開發(fā)與性能表征；SiC MOSFET可靠性測試驗證與失效機理分析；SiC MOSFET動態(tài)特性測試的測量點間寄生參數(shù)；電動汽車用SiC器件要求與測試挑戰(zhàn)；復雜應用環(huán)境對新型大功率電力器件的應用需求與技術(shù)挑戰(zhàn)；碳化硅從具挑戰(zhàn)的材料到強固的可靠性；SiC器件常規(guī)測試驗證及加嚴測試挑戰(zhàn)；功率器件封裝可靠性技術(shù)；高可靠性、高性能碳化硅功率模塊封裝材料；功率循環(huán)設(shè)備在系統(tǒng)級產(chǎn)品上的應用案例分享。會上，專家們還就可靠性測試結(jié)果與電特性表征現(xiàn)象和本質(zhì)方面的話題分享了精彩觀點。
